브랜드 이름: | ZMSH |
모델 번호: | Silicon Carbide |
MOQ: | 5 |
지불 조건: | 100%T/T |
ZMSH는 SiC (실리콘 카비드) 기판 웨이퍼의 선도적인 제조업체와 공급자가되었습니다.ZMSH는 2인치와 3인치 연구 등급 SiC 기판 웨이퍼에 대한 시장에서 현재 최고의 가격을 제공합니다..
SiC 기판 웨이퍼는 전자 장치 설계에서 특히 고 전력 및 고 주파수를 포함하는 제품에 다양한 응용 프로그램을 가지고 있습니다.
또한 LED 기술은 SiC 기판 웨이퍼의 주요 소비자입니다. LED는 빛 방출 다이오드,이것은 전자와 구멍을 결합하여 에너지 효율적인 차가운 광원을 만드는 반도체입니다..
실리콘 카비드 (SiC) 단일 결정은 우수한 열 전도성, 높은 포화 전자 이동성 및 고전압 붕괴 저항과 같은 많은 뛰어난 특성을 가지고 있습니다.이러한 특성은 고주파를 준비하는 데 완벽한 재료로 만듭니다., 고전력, 고온, 방사능 저항성 전자 장치
또한, SiC 단일 결정은 뛰어난 열전도성과 강한 전압 분해 특성을 가지고 있습니다. 그것은 악화되지 않고 높은 온도와 방사선 수준을 쉽게 견딜 수 있습니다.고품질의 전자 기기에 최적의 선택이 됩니다..
또한 SiC 단일 결정의 높은 전자 이동성은 다른 재료에 비해 더 높은 효율을 제공하여 더 적은 중단으로 더 오래 작동 할 수 있습니다.그것은 높은 성능을 만드는 완벽한 재료입니다., 신뢰할 수 있는 전자.
제품명: 실리콘 카바이드 기판, 실리콘 카바이드 웨이퍼, SiC 웨이퍼, SiC 기판
성장 방법: MOCVD
크리스탈 구조: 6H, 4H, 6H ((a=3.073 Å c=15.117 Å), 4H ((a=3.076 Å c=10.053 Å))
6H: ABCACB, 4H: ABCB
등급: 생산등급, 연구등급, 유령등급
전도성 유형: N형 또는 반 단열
대역 간격: 3.23 eV
강도: 9.2 (mH)
열전도 @300K: 3.2~4.9 W/cm.K
다이렉트릭 상수: e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
저항성: 4H-SiC-N: 0.015~0.028 Ω·cm, 6H-SiC-N: 0.02~0.1 Ω·cm, 4H/6H-SiC-SI: >1E7 Ω·cm
포장: 100급 깨끗한 가방, 1000급 깨끗한 방
실리콘 탄화물 웨이퍼 (SiC 웨이퍼) 는 자동차 전자제품, 광전자 장치 및 산업용 용품에 이상적인 옵션입니다.이 웨이퍼에는 4H-N 타입 SiC 기판과 반 단열 SiC 기판이 포함됩니다., 두 가지 모두 다양한 장치의 핵심 구성 요소입니다.
4H-N 타입 SiC 기판은 광범위한 대역 간격과 같은 우수한 특성을 제공합니다. 이는 전력 전자 장치에서 매우 효율적인 전환을 허용합니다.그들은 기계적 마모와 화학 산화에 매우 견딜 수 있습니다., 고온, 저손실 장치에 이상적입니다.
반 단열 SiC 기판은 높은 안정성과 열 저항과 같은 우수한 특성을 제공합니다.고전력 장치 에서 안정적 으로 유지 될 수 있는 그 능력 은 여러 가지 광전자 응용 분야 에 이상적 으로 사용 될 수 있게 한다또한 고성능 마이크로 전자 장치의 중요한 구성 요소인 결합 웨이퍼로도 사용될 수 있습니다.
이러한 SiC 웨이퍼의 특징은 특히 자동차, 광 전자 및 산업 분야에서 다양한 응용 프로그램에 적합합니다.SiC 웨이퍼는 오늘날의 기술의 필수적인 부분이며 다양한 산업에서 점점 더 인기를 얻고 있습니다..
우리는 실리콘 카비드 웨이퍼에 대한 포괄적인 기술 지원과 서비스를 제공합니다.그리고 프로젝트의 설계와 실행에 도움을.
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실리콘 카바이드 웨이퍼는 부서지기 쉽고 운송 시 특별한 취급과 보호가 필요합니다. 고객에게 안전한 배달을 보장하기 위해 다음 절차를 따라야합니다.