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상세 정보 |
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| 제품: | 맞춤형 세미 탄화 규소 웨이퍼 | 크기: | 맞춤형 |
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| 색상: | 거의 무색 투명 | 등급: | 더미/생산 등급 |
| 표면: | 양측 사이드 니스 | 적용: | 장치 메이커 광택 처리 검사 |
| 강조하다: | 고압 저항성 실리콘 탄화물 웨이퍼,맞춤형 크기의 실리콘 탄화물 웨이퍼,반열성 실리콘 탄화물 웨이퍼 |
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제품 설명
실리콘 탄화물 웨이퍼 맞춤형 크기 반 단열 SiC 웨이퍼 거의 무색 투명 고압 저항
2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N SIC ingots/High purity 4H-N 4inch 6inch dia 150mm 실리콘 카비드 싱글 크리스탈 (sic) substrates wafers, sic crystal ingots시크 반도체 기체,실리콘 카비드 크리스탈 웨이퍼/ Customzied as-cut sic 웨이퍼
반 실리콘 카비드 웨이퍼's abstract
실리콘 카비드 (SiC) 는 기능성 광대역 간격 복합 반도체 물질의 한 종류입니다. 최근 몇 년 동안, 뛰어난 성능으로 인해 광범위한 관심을 받았습니다.반-보금성 실리콘 탄화물은 응용의 다양한 가능성을 가지고 있습니다.실리콘 카비드는 좋은 성질을 가지고 있어 유니크한 우위를 점하고 있습니다.
실리콘 카바이드의 열 전도성은 실리콘의 3배 이상이며 전자 전기와 장비에서 더 나은 열 방출을 달성 할 수 있습니다.실리콘 탄화물은 더 높은 분해 전압을 가지고 있으며 분해 전에 더 높은 전기장을 견딜 수 있습니다., thus achieving a higher voltage power device. Silicon carbide has excellent performance and high operating temperature. It can maintain performance at much higher temperatures than silicon. 실리콘 탄화물은 실리콘보다 훨씬 높은 온도에서 성능을 유지할 수 있습니다.안정적이고 신뢰할 수 있는 작업, and the maximum operating temperature can reach 600 ° C. 실리콘 카비드는 낮은 저항, 높은 분해 전압 및 더 넓은 밴드 간격으로 전원 스위치에서의 저항을 줄일 수 있습니다.
반 단열 실리콘 탄화물 (semi SiC) 은 특수 종류의 실리콘 탄화물 물질입니다.강한 반 방사선 능력과 다른 우수한 성능그것은 매우 귀중한 새로운 기능성 반도체 물질입니다.반열성 실리콘 카비드는 높은 전력에서 광범위한 응용 가능성을 가지고 있습니다., high frequency, high temperature and other fields. 고주파, 고온 및 기타 분야.
반 실리콘 탄화물 웨이퍼의 쇼케이스
실리콘 카비드 웨이퍼의 매개 변수
실리콘 카바이드는 실리콘과 탄소로 구성된 반도체 화합물입니다.이것은 실리콘 탄화물 반도체를 높은 기계적The wideband gap characteristics and high thermal stability allow SIC devices to be used at higher junction temperatures than silicon. 그 와이드밴드 게프 특성과 높은 열 안정성은 SIC 장치를 실리콘보다 높은 접합 온도에서 사용할 수 있게 합니다.It can be used to polish semi-insulated silicon carbide semiconductor wafers on both sides 반열화된 실리콘 탄화물 반도체 웨이퍼를 양쪽에서 닦을 수 있습니다예를 들어, 4인치 실리콘 카비드 반도체 웨이퍼의 프로세스 매개 변수는 다음과 같습니다.
반열성 반도체 실리콘 카비드 웨이퍼 파라미터
| 100mm 4H Semi SiC C Grade | 100mm 4H Semi SiC B Grade |
| 타입:반-보호 | 타입: 반열 |
| 오리엔테이션:<0001>+/-0.5° | 오리엔테이션: <0001>+/-0.5° |
| 두께: 350/500 ± 25um | 두께: 350/500 ± 25um |
| MPD: <50cm-2 | MPD: <15cm-2 |
| 전기 저항성: ≥1E5 Ω.cm | 전기 저항성: ≥1E7 Ω.cm |
| 표면: 이중 면 엽록소 | 표면: 이중 면 엽록소 |
| 경직성: <0.5nm | 경직성: <0.5nm |
질문 및 답변
1실리콘 카비드 반도체는 무엇을 위해 사용합니까?
A wide bandgap (WBG) 물질은 더 작은 밴드gap 반도체보다 더 효율적으로 전기 에너지를 이동할 수 있습니다. This makes silicon carbide especially useful for전동차의 견인 인버터와 전동차 충전기와 에어컨용 DC/DC 변환기 같은 전력 전자제품.
2SI와 SiC의 차이점은 무엇일까요?
실리콘 탄화탄소 기반 (SiC) MOSFET는 실리콘 기반 (Si) 버전에 비해 훨씬 더 높은 효율 수준을 허용합니다.이 기술이 더 좋은 선택인지 결정하는 것은 항상 쉬운 일이 아닙니다.
3왜 SiC가 실리콘보다 낫을까요?
SiC의 열전도성은 Si보다 거의 3.5배 더 좋으며, 단위 면적당 더 많은 전력을 방출할 수 있습니다.. While packaging can be a limiting factor during continuous operation, the significant extra margin offered by SiC brings added confidence in applications susceptible to transient thermal events. 방아쇠가 계속 작동하는 동안 패키징이 한계 요인이 될 수 있지만, SiC가 제공하는 상당한 추가 마진은 일시적인 열 사건에 민감한 애플리케이션에 추가 신뢰를 가져다줍니다.