우리의PVT 오븐고품질의 SiC 결정과 정확한 온도 조절을 제공합니다. 반도체에 이상적입니다.레리 오븐전기 자기 인덕션 가열을 사용하여 우수한 균일성과 최소한의 결함으로 큰 크기의 SiC 결정 성장을합니다.TSSG/LPE 오븐첨단 전력 및 광 전자 장치에 대한 초 순수 SiC 결정과 대각층을 생산하는 데 전문입니다.

첨단 자동화, 정밀 시스템, 그리고 견고한 설계에 의해 지원, 우리의 오븐은 다양한 산업 및 연구 요구를 충족합니다.고기술 재료 제조에서 최첨단 응용 프로그램을 지원하기 위해 SiC 결정 성장을위한 고성능 솔루션.

실리콘 탄화탄 결정 성장 오븐의 특성

1PVT 방법 (물리적인 증기 운송)

SiC 오븐 PVT 릴리 TSSG & LPE 실리콘 탄화물 생산을위한 크리스탈 성장 시스템 0

원칙: SiC 원자 물질을 수글리메트하기 위해 저항적 가열을 사용하며, 그 다음 씨 크리스탈에 응고하여 SiC 크리스탈을 형성합니다.

적용: 주로 반도체급의 SiC 단일 결정의 생산을 위해 사용된다.

장점:
- 비용 효율적인 생산
- 중간 크기의 결정 성장에 적합합니다.

주요 특징:
- 고순도 그래피트 부품들, 예를 들어 크라이블과 씨앗 보관기 같은 것을 사용합니다.
- 열쌍과 적외선 센서를 이용한 첨단 온도 조절
- 진공 및 무활성 가스 흐름 시스템은 통제 된 대기 환경을 보장합니다.
- 자동 PLC 시스템은 정확성과 반복성을 향상시킵니다.
- 통합 냉각 및 폐 가스 처리 시스템은 공정 안정성을 유지합니다.

2레리 방법 (인덕션 난방)

원칙: 고주파 전자기 인덕션을 사용하여 크라이블을 가열하고 크리스탈 성장을 위해 SiC 파우더를 하강합니다.

적용: 우수한 온도 균일성으로 인해 큰 크기의 SiC 결정 성장에 이상적입니다.

장점:
- 높은 열효율과 균일한 난방
- 성장 중에 수정 결함을 줄여줍니다.

주요 특징:
- 구리 인덕션 코일과 SiC로 코팅된 크라이블을 장착합니다.
- 안정적인 작동을 위해 고온 진공 챔버를 갖추고 있습니다.
- 온도와 가스 흐름을 정밀하게 제어합니다.
- PLC 및 원격 모니터링 시스템
- 효율적인 냉각 및 배기가스 시스템으로 안전성과 신뢰성을 보장합니다.

3TSSG/LPE 방법 (액성 단계 성장)

원칙: 고온 용금속에서 SiC를 녹여 제어 냉각 (TSSG) 을 통해 결정을 성장시키거나 기판 (LPE) 에 SiC 층을 퇴적시킵니다.

적용: 초고 순수성 SiC 결정과 전력 및 광 전자 장치용 부피층을 생산합니다.

장점:
- 결함 밀도가 낮고 고품질의 결정 성장
- 대량 결정과 얇은 필름 퇴적에 적합합니다.

주요 특징:
- SiC와 호환되는 크라이블 (예를 들어, 그래피트 또는 탕탈륨) 을 사용합니다.
- 2100°C까지의 온도를 위한 정밀한 난방 시스템을 제공합니다.
- 고도로 제어 된 회전 / 위치 메커니즘
- 자동화된 프로세스 제어 및 효율적인 냉각 시스템
- 고전력 전자제품 등 다양한 애플리케이션에 적응할 수 있습니다.

실리콘 카비드 크리스탈 성장 오븐의 사진

우리의 서비스

맞춤형 단점 솔루션
우리는 PVT, Lely, 그리고 TSSG/LPE 기술을 포함한 맞춤형 실리콘 카비드 (SiC) 오븐 솔루션을 제공합니다.우리는 우리의 시스템이 당신의 생산 목표와 일치하는지 확인합니다..
고객 교육
우리는 당신의 팀이 우리의 오븐을 작동하고 유지 관리하는 방법을 완전히 이해하도록 포괄적인 교육을 제공합니다. 우리의 교육은 기본적인 운영에서 고급 문제 해결에 이르기까지 모든 것을 포함합니다.
현장 설치 및 운용
우리 팀은 개인적으로 SiC 오븐을 설치하고 운영합니다. 우리는 원활한 설치를 보장하고 시스템이 완전히 작동하는지 보장하기 위해 철저한 검증 과정을 수행합니다.
판매 후 지원
우리는 반응적인 판매 후 서비스를 제공합니다. 우리의 팀은 현장 수리 및 문제 해결에 도움을 줄 준비가 되어 있습니다.

우리는 고품질의 오븐과 지속적인 지원을 제공하는 데 전념하고 있습니다.

질문 및 답변

Q:PVT의 물리적 증기 운송 방법은 무엇입니까?

A:의물리적 증기 운송 (PVT)이 방법은 고품질의 결정, 특히 실리콘 탄화물 (SiC) 같은 물질을 재배하는 데 사용되는 기술입니다.고체 물질은 진공 또는 저압 환경에서 가열되어 수비됩니다 (고체로부터 증기로 직접 변환합니다), 그 다음 시스템을 통해 이동하고 냉정한 기판에 결정으로 퇴적합니다.

Q:SiC의 성장 방법은 무엇입니까?

A:물리적 증기 운송 (PVT)

PVT는 SiC 물질을 진공에서 가열하여 증기화하여 증기가 더 차가운 기판에 퇴적하도록하는 것을 포함합니다. 이 방법은 반도체에 이상적인 고품질의 큰 SiC 결정을 생산합니다.

화학 증기 퇴적 (CVD)

CVD에서는 실라인과 프로판과 같은 기체성 전초 물질이 기판에 반응하여 SiC를 형성하는 방으로 도입됩니다. 얇은 필름과 대용량 결정을 생산하는 데 사용됩니다.레리 방법 (인덕션 가열)

렐리 방법은 인덕션 가열을 사용하여 큰 SiC 결정을 재배합니다. 가열된 SiC 물질의 증기는 씨앗 결정에 응고합니다.

용액 성장 (TSSG/LPE)

이 방법 은 용해 된 용액 에서 SiC 를 재배 하는 것 을 포함 합니다. 이 방법 은 고성능 장치 에 이상적 인 초순결성 결정 과 대각층 을 생산 합니다.

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