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상세 정보 |
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| Vacuum Leakage Rate: | ≤ 5 Pa/12 h (after bake-out) | Crucible Diameter: | Ø 400 mm |
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| Furnace Height: | 1250 mm | Heating Method: | PVT HTCVD LP |
| Heating Power: | Pmax = 40 kW, Frequency = 8–12 kHz | Temperature Measurement: | Dual-color infrared pyrometer |
| Pressure Range: | 1–700 mbar | Crystal Size: | 6–8 inches |
| Temperature Control Accuracy: | ±0.5°C | Pressure Rise Rate: | < 5 Pa/12 h |
| 강조하다: | 단일 크리스탈 SiC 잉크 성장 오븐,8 인치 SiC 잉크 성장 오븐,6 인치 SiC 잉크 성장 오븐 |
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제품 설명
SiC 인고트 성장 오븐 PVT HTCVD LPE 단일 결정 SiC Boule 성장 오븐 6 인치 8 인치 SiC 웨이퍼 제품
SiC 인고트 성장
의SiC 인고트 성장 오븐고효율성 성장을 위해 설계된 첨단 시스템입니다단일 결정 SiC Boules의 생산에 사용되는6인치그리고8인치 SiC 웨이퍼다양한 성장 방법을 활용하여PVT (물리적인 증기 운송),HTCVD (고온 화학 증기 퇴적), 그리고LPE (액성 단계 에피타시), 이 오븐은고순도, 결함이 적은 SiC 잉글로.
온도, 압력, 진공에 대한 정밀 제어로,SiC 인고트 성장 오븐안정적이고 확장 가능한SiC Boule 성장, 다음 세대의 요구를 충족반도체 용도전기차 (EV), 재생 가능한 에너지, 고전력 전자제품 등.사용자 정의 가능한 디자인은 제조업체가 일관성있는 잉그트 품질과 양을 보장하면서 다양한 생산 규모와 결정 사양에 적응 할 수 있습니다..
SiC 인고트 성장 오븐 데이터
| 매개 변수 | 가치 |
|---|---|
| 크리스탈 크기 | 6~8인치 |
| 가열 방법 | 인덕션 / 저항 가열 |
| 와이어 설치 및 이동 정확도 (mm) | ±0.5mm |
| 챔버 재료 및 냉각 방법 | 물 냉각 / 공기 냉각 |
| 온도 조절 정확성 | ±0.5°C |
| 압력 조절 정확성 | < 5 ± 0.05 mbar |
| 최후의 진공 | 5 × 10−6 mbar |
| 압력 상승 속도 | < 5 Pa/12 h |
성장 이론
1PVT (Physical Vapor Transport) 방법 성장 원칙
이 지역에서는PVT 방법,실리콘카바이드 (SiC)크리스탈이 자라는수비 및 응고높은 온도 (2000~2500°C) 에서SiC 분말이 물질은 진공이나 저압 환경에서 수브리메이트 (고체에서 증기로 변함) 됩니다.SiC 증기통제된 통로로 운송됩니다.온도 gradient그리고씨앗 결정에 퇴적, 그 곳응축하고 자란다하나의 결정으로,SiC Boule.
- 주요 특징:
- 증기 단계 운송으로 결정 성장.
- 온도 gradient과 압력을 정확하게 조절해야 합니다.
- 생산용용량 단일 결정 SiC Boules웨이퍼 썰기용
- 증기 단계 운송으로 결정 성장.
2저항 온난화 성장 지원 원칙
들어와저항 난방, 전기 전류가저항적 난방 원소(예를 들어, 그래피트), 성장 방의 온도를 높이는 열을 생성하고SiC 원료이 난방 방법은 고온과 안정적인 온도를 유지하기 위해 사용됩니다.PVT 프로세스.
- 주요 특징:
- 간접 난방방법: 열은 히터에서 크라이블로 전달됩니다.
- 제공일률적이고 제어된 난방.
- 용도:중형 생산안정적인 에너지 소비로
SiC 인고트 성장 오븐의 사진
우리의 SiC 용해 결과
ZMSH에서는SiC 볼우리의 첨단 기술을 사용하여 생산SiC 인고트 성장 오븐두 가지 측면에서 상당한 이점을 제공합니다.크리스탈 품질그리고프로세스 호환성, 현대인의 까다로운 요구에 완전히 부응하도록 보장합니다.반도체 제조.
주요 장점:
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높은 결정 순도: 우리의 SiC Boules는 엄격히 통제된 조건에서 자라는데, 뛰어난 순수성과 최소한의 오염을 달성합니다. 고성능 반도체 장치에 매우 중요합니다.
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결함 밀도가 낮다: 성장 중에 온도, 진공, 압력의 정확한 통제와 함께, 우리의 SiC Boules 전시낮은 위장 밀도그리고 최소한의 마이크로 파이프로 우수한 전기적 특성과 장치의 출력을 보장합니다.
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균일성 결정 구조: 전체 볼에 걸쳐 일관된 결정성, 효율적인 슬라이싱과 웨이퍼 제조를 가능하게균일한 두께와 재료 품질.
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반도체 공정과 완전히 호환: 우리의 SiC Boules는 산업 표준에 맞춰 설계되었습니다웨이퍼링, 폴리싱, 에피타시얼 성장프로세스, 다운스트림에 원활한 통합을 보장장치 제조작업 흐름.
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6인치 및 8인치 웨이퍼를 위한 확장 가능한 생산: 대량 생산에 적합6인치 및 8인치 SiC 웨이퍼, 전력 전자기기, EV 및 고주파 애플리케이션에 대한 증가하는 시장 수요를 충족합니다.
우리의 생존
에ZMSH, 우리는 제안합니다사용자 정의 가능한 서비스고객들의 다양한 요구를 충족시키기 위해SiC Boule 생산장비 구성에서 프로세스 지원에 이르기까지 모든 솔루션이 생산 목표와 기술 요구 사항에 완벽하게 맞도록 보장합니다.
우리 가 제공하는 것:
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맞춤형 장비 설계: 우리는 사용자 정의SiC 볼 성장 오븐규격 (크리스털 크기 (6 인치, 8 인치 또는 사용자 정의), 난방 방법 (인덕션 / 저항) 및 제어 시스템) 을 포함하여 귀하의 특정 생산 요구 사항에 맞습니다.
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프로세스 매개 변수 사용자 정의: 우리는 원하는 결정 품질에 따라 온도, 압력, 진공 매개 변수를 최적화 도와 안정적이고 효율적인 성장을 보장SiC 볼.
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현장 설치 및 운용: 우리의 전문가 팀은현장 설치, 캘리브레이션, 시스템 통합을 통해 장비가 첫날부터 최고 성능을 발휘할 수 있도록 합니다.
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고객 교육: 우리는 포괄적인기술 교육오븐의 운영, 유지보수 및 문제 해결을 다루는 직원을 위해 안전하고 효율적인 사용을 보장합니다.
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판매 후 지원: ZMSH는 장기적인판매 후 서비스, 원격 지원, 주기적인 유지 보수 및 빠른 응답 수리 서비스를 포함하여 정지 시간을 최소화합니다.