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상세 정보 |
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| 순수성: | ≥ 99.9999% (6N) | Particle Size: | 0.5 µm - 10 µm |
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| 밴드 갭 너비: | ~ 3.26 EV | Mohs Hardness: | 9.5 |
| 강조하다: | 크리스탈 성장 SiC 분말,고순도 sic 분말,반열성 SiC 분말 |
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제품 설명
제품 소개
HPSI SiC 파우더 (High Purity Semi-Insulating Silicon Carbide) 는 전력 전자제품, 광전자 장치 및 고온,고주파 애플리케이션뛰어난 순수성, 반열성 특성 및 열 안정성으로 알려진 HPSI SiC 파우더는 차세대 반도체 장치에 중요한 재료입니다.
작동 원칙
PVT 실리콘 카바이드 (SiC) 단일 결정 오븐의 결정 성장 과정:
- 높은 순수성 실리콘 카바이드 (SiC) 가루를 가연 내부의 그래피트 크라이블의 바닥에 배치하고 실리콘 카바이드 씨 크리스탈을 크라이블 뚜?? 의 내부 표면에 붙입니다.
- 전자기 인덕션 가열 또는 저항 가열을 사용하여 기저를 2000°C 이상의 온도로 가열합니다. 기저 내부에 축적 온도 경사를 설정합니다.씨앗 결정의 온도를 분말 원소 온도보다 약간 낮게 유지합니다.
- SiC 분자는 실리콘 원자, SiC2 분자, Si2C 분자를 포함한 기체 구성 요소로 분해됩니다.이 증기 단계 물질은 높은 온도 구역 (가루) 에서 낮은 온도 구역 (시드 크리스탈) 으로 이동합니다.씨앗 결정의 탄소 표면에, 이 구성 요소들은 씨앗 결정의 결정 방향에 따라 질서있는 원자 구조로 배열됩니다. 이 과정을 통해,크리스탈은 점차 두꺼워지고 결국에는 실리콘 카바이드 진통으로 자란다.
사양
| 매개 변수 | 값 범위 |
|---|---|
| 순수성 | ≥ 99.9999% (6N) |
| 입자 크기 | 0.5μm~10μm |
| 저항성 | 105 ~ 107 Ω·cm |
| 열전도성 | ~490 W/m·K |
| 대역 간격 너비 | ~3.26 eV |
| 모스 강도 | 9.5 |
신청서
SiC 단일 결정 성장
- HPSI SiC 분말은 주로 물리 증기 운송 (PVT) 또는 하강 방법을 통해 고순도 실리콘 탄화물 단일 결정의 생산을 위한 원료로 사용됩니다.- 네
- 네
물리적 구조
HPSI SiC 분말은 일반적으로 육각형 (4H-SiC) 또는 큐브 모양의 고 결정 구조를 가지고 있습니다. (3C-SiC) 폴리 타입, 생산 방법에 따라. 그것의 높은 순도는 금속 불순물을 최소화하고 알루미늄이나 질소와 같은 도핑 물질의 포함을 제어함으로써 달성됩니다.전기 및 단열 특성에 영향을 미치는미세한 입자 크기는 다양한 제조 공정과 균일성과 호환성을 보장합니다.
질문 및 답변
Q1: HPSI 실리콘 카바이드 (SiC) 가루는 무엇을 위해 사용합니까?
SiC 미크론 분말 응용 프로그램은 모래 분출 주입기, 자동차 물 펌프 밀봉, 베어링, 펌프 부품 및 높은 경화, 경화 저항,시리콘 카바이드의 염화 저항성.
Q2: HPSI 실리콘 카비드 (SiC) 파우더는 무엇입니까?
HPSI (High Purity Sintered) 실리콘 카비드 파우더는 첨단 합금 공정을 통해 제조 된 고 순도 고 밀도 SiC 물질입니다.
Q3: HPSI SiC 파우더는 특정 응용 프로그램에 맞춤화 될 수 있습니까?
예, HPSI SiC 파우더는 특정 산업 또는 연구 요구를 충족시키기 위해 입자 크기, 순도 수준 및 도핑 농도 측면에서 맞춤화 될 수 있습니다.
Q4: HPSI SiC 파우더가 반도체 웨이퍼 품질에 어떻게 직접적으로 영향을 미치나요?
그 순수성, 입자 크기와 결정 단계가 직접적으로 결정합니다.
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