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제품 세부 정보

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실리콘 탄화물 웨이퍼
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4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate

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4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate

브랜드 이름: ZMSH
모델 번호: 4인치 SiC 웨이퍼
MOQ: 10개
포장에 대한 세부 사항: 공통 패키지
지불 조건: 티/티
상세 정보
제품 설명
상세 정보
원래 장소:
중국
인증:
RoHS
유형:
4h 엔
등급:
더미/연구/생산등급
두께:
350㎛±25㎛
경사:
40μm 이하
거:
라≤1nm
지름:
4인치, 99.5mm~100.0mm
제품 설명
4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate 4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate What are Silicon Carbide (SiC) Wafers & Substrates? Silicon Carbide (SiC) wafers and substrates are specialized materials used in semiconductor technology made from silicon carbide, a compound known for its high thermal conductivity, excellent mechanical strength, and wide bandgap. Exceptionally hard and lightweight, SiC wafers and substrates provide a robust
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